去年台积电（TSMC）总裁魏哲家就已确认，2nm制程节点将使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，而制造的过程仍会依赖于现有的极紫外（EUV）光刻技术，预计2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批采用N2工艺制造的芯片。
据Torrent Business报道，台积电为了站稳先进制程的领先位置，内部已组建了名为“One Team”的团队，冲刺2nm制程节点的开发、试产和量产等工作，包括推动其位于中国台湾新竹宝山和高雄两地晶圆厂的同步试产，以及2025年的量产。团队里除了研发人员，还有前期负责生产的晶圆厂工程师。
为了某一个特定的制程节点专门组建一个特别工作组并不符合台积电的作风，以往都是选定某一间晶圆厂进行试产，然后再将最新的半导体制造技术推广到其他晶圆厂实现大规模量产。此次台积电针对N2工艺同时启用了两个晶圆厂，现在又组建“One Team”的团队，可见其重视程度。
近期台积电创始人张忠谋出席台积电全球研发中心启用时，勉励台积电的员工，要吸取英国海军的前车之鉴，不要因为新的全球研发中心落成而骄傲自满，重蹈英国海军没落之路。据了解，台积电最近面临部分成熟制程节点订单量减少及对手逼近其2/3nm先进制程的双重压力，很可能为此罕见地在人力和产能方面做出大的调整。
台积电官方已确认成立“One Team”的团队，不过没有透露具体的在编人员数量和执行项目情况。