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国内DRAM厂商正在开发高带宽类内存:类似于HBM,满足AI等应用需求

最近一段时间得益于人工智能(AI)业务的蓬勃发展,相关服务器的需求攀升,带动了HBM的出货拉升,也让在该领域下重注的SK海力士受益匪浅,业绩明显改善。据相关媒体报道,国内的DRAM厂商也在努力为人工智能和高性能计算应用开发自己的高带宽类内存,类似于HBM,而长鑫存储(CXMT)处于这一倡议的最前沿。

当谈及性能时,HBM类产品无疑是领先的,利用堆栈技术带来了更大的接口带宽,也提高了数据传输的速率,而这类存储器也并不需要最先进的光刻技术。现今大量供货的HBM2E和HBM3产品,也经过了时间的验证,发展得很成熟了。

HBM类产品要求较高的是封装技术,需要使用微小的硅通孔(TSV)垂直连接8个或12个存储器,这是一个复杂的过程。不过相比在更高的10nm级工艺技术上生产DRAM芯片,对堆叠的芯片模块进行封装还是相对要简单一些。理论上,长鑫存储有生产HBM类产品的技术,不过每个模块能够堆叠多少DRAM还很难说。

在未来人工智能、高性能计算、自动驾驶汽车等各种应用场景中,HBM类产品都有较高的需求,适用范围非常广,能够依靠自己的技术实现自主研发和生产,肯定是利大于弊。