近日，三星半导体在KAIST（韩国科学技术研究院）举办了一场讲座，三星电子设备解决方案业务部门负责人庆桂显介绍了三星半导体追赶竞争对手台积电（TSMC）的愿景。
据Sammobile报道，庆桂显首先承认了三星在代工技术上落后于台积电，4nm工艺技术上落后了约两年，而3nm工艺技术上落后了约一年。不过庆桂显认为三星现在有一项优势，那就是更早地采用GAA架构晶体管技术，缩小了与台积电之间的距离，随着时间的推移，三星可以在五年内超越台积电。
三星在去年6月，宣布其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，成为了全球唯一一家采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。与三星不同的是，台积电在3nm工艺上仍使用传统的FinFET（鳍式场效应晶体管），要等到2nm工艺才引入新的晶体管技术。
最近有报道称，三星的3nm工艺量产后的良品率已提升至60%到70%之间，吸引了不少客户的关注。庆桂显称，客户对3nm GAA工艺的反应很好，预计推进到2nm工艺时，与台积电之间的竞争态势就会发生改变。
此外，庆桂显表示，存储半导体在开发人工智能服务器方面会变得更加重要，甚至超过英伟达的GPU，三星将“确保以存储器半导体为中心的超级计算机在2028年问世”。
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