SK海力士量产238层4D NAND闪存:数据传输速率提升50%

SK海力士宣布,已开始量产238层4D NAND闪存,目前与生产智能手机的海外客户正进行产品验证。SK海力士强调,以此为基础已开发出适用于智能手机和PC的客户端SSD解决方案产品,并确保了成本、性能和品质方面的竞争力,期待可以在下半年起到改善公司业绩的牵引作用。

SK海力士早在去年8月,就已宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,并向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品。相比3D方式,SK海力士在4D架构芯片上采用了电荷捕获型技术(Charge Trap Flash,CTF)和PUC(Peri. Under Cell)技术,具有单元面积更小、生产效率更高的优点。

238层4D NAND闪存是世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的176层提升了34%,成本竞争力得到了大幅改善。其数据传输速率为2.4Gbps,相比前一代产品提高了50%,芯片读写性能也有约20%的改善。

据了解,SK海力士计划在完成智能手机客户的验证后,首先会向移动端产品供应238层NAND闪存,随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0标准的PC平台SSD和数据中心级高容量SSD产品等。SK海力士表示,会继续突破NAND闪存技术局限,并加强竞争力。

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