在今年4月份，英特尔和Arm宣布达成协议，让芯片设计者能够基于Intel 18A工艺打造低功耗的SoC。双方的合作会首先聚焦于移动设备的SoC，随后将扩展到自动驾驶、物联网、数据中心等领域。
据Wccftech报道，Arm正在与英特尔合作，优化其移动处理器的IP设计，以更好地整合Intel 18A工艺。据称，双方试图寻找一种“混合”的方法，其中不涉及巨大的风险因素，而且有可能进一步降低成本。此次合作对于Arm和英特尔来说都是一场革命，很可能也会改变行业的发展，传闻双方还计划增加初期的出货量。
随着这段时间人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的蓬勃发展，行业正处于一个上升周期，相关行业有着巨大的发展潜力，Arm希望能够进一步扩大应用范围，而不仅仅局限于移动领域。
英特尔曾表示，Intel 20A和Intel 18A工艺将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代，这两个工艺制程被视为2025年赶超台积电（TSMC）的关键。其中RibbonFET是对Gate All Around晶体管的实现，加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
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