近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。SK海力士上个月宣布成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证。随后美光推出了业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，相比目前出货的HBM3解决方案提高了50%。
HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM的高带宽存储器，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品，在正式进入市场不到10年的时间里就取得了长足的进步。据DigiTimes报道，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。
自2015年以来，每个HBM堆栈采用的都是1024位接口，将位宽翻倍是HBM内存技术推出后最大的变化。暂时还不清楚HBM4的引脚速度是否还能保持在9GB/s的水平，如果能做到相同的速度，意味着带宽将从现在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升会相当明显。
目前像英伟达H100计算卡，使用了六颗HBM3/HBM3E芯片，每个对应的接口为1024位，也就是共6144位。如果单个HBM芯片的接口位宽增加，不知道厂商是否会在产品上继续使用相同数量的HBM芯片，或者选择适当地降低数量削减成本。
不少人担心位宽翻倍后导致产能下降，毕竟存储器需要数千个通硅孔（TSV）去做堆叠。不过相关报告称，三星和SK海力士现在都很有信心，认为HBM4能保持原有的产量。
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