英伟达评估三星3nm GAA工艺,若顺利则预定2025年量产

三星在2022年6月末宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片,采用全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。不过在量产初期,三星3nm GAA工艺的良品率并不是那么理想,不过随着三星与合作伙伴的努力,传闻良品率已达到60%到70%之间,三星也尝试在芯片设计者中重新建立信心。

近日有网友(@手机晶片达人)透露,英伟达已经在评估三星的3nm GAA工艺,如果一切顺利,预定在2025年量产。目前看来,三星3nm GAA工艺最近几个月的良品率提升,吸引力确实变大了,增加了三星再次获得订单的可能性。由于台积电不断提高晶圆代工的价格,使得许多芯片设计公司重新考虑生产外包的多样化问题,也给了三星更多的机会。

此前就有报道称,有多个客户对三星3nm GAA工艺产生兴趣,用在未来的产品中,包括了英伟达(GPU)、高通(SoC)、IBM(CPU)和百度(云端服务器的AI芯片),这些企业过去都和三星有合作,相互之间都比较熟悉。传闻名单上应该有六间芯片设计公司,不过即便有意向也不会马上生产。

有业内人士表示,一些公司正在试图减少对台积电的依赖,以寻求自身半导体供应链的多样化。三星也希望能够尽快得到3nm芯片订单,毕竟研发先进的半导体技术所需要的成本非常高,如果没有稳定的收入,很难回收开发成本。

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