相比于今年的第3代骁龙8，更多人关注的是明年的骁龙8系列SoC。传闻第4代骁龙8将采用台积电N3E工艺制造，也就是第二代3nm工艺，相比于目前使用的工艺，多核性能有了较大的提升。
近日有博主（@数码闲聊站）透露，随着Arm授权政策收紧，高通最快会在内部代号为SM8750的第4代骁龙8使用基于NUVIA技术的定制内核，和Arm双版本的CPU部分都将采用2+6配置。
之前就有报道称，第4代骁龙8的自研内核版本会以两个“Nuvia Phoenix”性能核搭配六个“Nuvia Phoenix M”能效核，甚至还会支持新一代的LPDDR6，在新工艺和新内核等技术的加持下，性能提升非常明显，提升幅度达到了40%。按照选择这种说法，高通第4代骁龙8似乎还有Arm内核的版本。
此前还有消息称，高通未来骁龙8平台或采用双代工厂策略，分别为台积电N3E工艺和三星的3nm GAA工艺。该计划最快有可能在2024年年初实现，常规版本的第4代骁龙8芯片采用台积电N3E工艺制造，而三星3nm GAA工艺制造的版本有可能称为“Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy”，专门用于Galaxy S25系列智能手机。
看来高通对于第4代骁龙8配置和工艺上该如何选择很摇摆，显得似乎不是那么有信心。
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