去年三星开始提供业界首款速率为24 Gbps的16Gb（2GB）GDDR6内存模块，其基于三星10nm级别的1z工艺，采用了创新的电路设计、先进的绝缘材料（HKMG）和极紫外（EUV）技术，搭载的动态电压开关（DVS）技术可根据性能要求调整工作电压，将电源效率提高了20%，旨在提升下一代显卡、笔记本电脑和游戏主机的图形性能，同时也可以用在基于人工智能的应用程序和高性能（HPC）系统。
根据Hassan Mujtaba的报告，Rambus预计更快的GDDR6将会在今年年底前投入生产，速率将达到24 Gbps。
一直以来，GDDR6X相比GDDR6都有着更高的速率，美光去年已开始量产速率为24 Gbps的GDDR6X，容量为16Gb模块。目前GeForce RTX 4080上采用的GDDR6X显存为MT61K512M32KPA-24，额定速率本身应该是24 Gbps，但被设定在22.4 Gbps。
随着GDDR6的速率也达到24 Gbps，AMD可能会因此而受益，出现在Radeon RX 7×50系列上。不知道随着GDDR6速率赶上来，英伟达会不会更广泛地在产品上采用。不过美光曾表示，在GDDR6X中对PAM4信号传输技术方面的创新使其比其他GDDR6产品更加节能。
相比于三星和美光，SK海力士似乎将重心放在HBM类存储芯片上，旗下目前仅提供速率为20 Gbps的GDDR6。
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