去年台积电（TSMC）总裁魏哲家证实，2nm制程节点将如预期那样使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，制造的过程仍依赖于现有的极紫外（EUV）光刻技术，预计2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批采用N2工艺制造的芯片。
据相关媒体报道，台积电正全力以赴，已经开始准备2nm芯片的试产前期工作。一方面为了保持与三星和英特尔之间的领先优势，另一方面是为了满足苹果和英伟达对于芯片制造的要求。
消息人士透露，台积电已经派出工程师和支持人员到中国台湾新竹科学园区的研发工厂，为2nm试产做准备。今年台积电将建立一条小规模生产线，目标是生产1000片晶圆，2024年进行试产工作。如果一切顺利，台积电将扩建新工厂的生产线。由于台积电在N2工艺首次引入全新的GAA晶体管，可能会遇到不可预知的状况需要处理，因此尽早开始生产变得更加重要。
随着市场环境的改变，客户竞争比以往任何时候都更加激烈，而台积电的主要合作伙伴都积极地投资于其定制的解决方案，以确保生产能顺利进行，而且让芯片有更好的表现。台积电还将人工智能应用到制造环节，以提高效率，并节约能源，从而减少碳排放。此外，台积电还在2nm制程节点准备了N2P和N2X工艺，以满足不同的芯片制造需求。
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