美光推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案:采用232层3D TLC NAND闪存 – 超能网

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美光宣布,推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案,目前正在向部分智能手机制造商和产品供应商发送样品。美光表示,最新的移动闪存在几个关键的NAND基准测试中领先于竞争对手,可以为智能手机提供业界最强性能,包括快速启动、应用程序启动和视频下载。

美光移动业务部副总裁兼总经理Mark Montierth表示:“美光最新的移动解决方案将我们一流的UFS 4.0技术、独有的低功耗控制器、232层NAND闪存和高度可配置的固件架构紧密结合在一起,提供了无与伦比的性能。这些技术将美光置于提供客户所需的性能和低功耗创新的最前沿,从而为旗舰智能手机提供卓越的用户体验。”

美光的UFS 4.0闪存提供了三种容量,分别为256GB、512GB和1TB,这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案,也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品,提供了最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。

美光表示,2023年下半年将开始批量生产UFS 4.0存储产品,为移动生态系统提供高性能移动闪存,以助力下一波5G和人工智能的创新与设备体验。

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