今年年初，美光推出了符合DDR5-5200和DDR5-5600标准的第二代DDR5内存模块，除了传统的8GB、16GB和32GB以外，还有24GB和48GB提供给用户选择，支持XMP 3.0和EXPO技术，使用1α工艺节点进行批量生产。这也是市场上首批24GB和48GB内存模块，从侧面证明了美光在存储领域的实力。
据TomsHardware报道，美光希望继续保持在DRAM市场的领先优势，已经计划在2024年上半年量产32Gb DDR5芯片，为打造1TB大容量内存模块奠定基础。尽管美光没有透露新款DRAM芯片的数据传输速率，不过考虑到这是第三代DDR5内存模块，频率应该会进一步提升。
32Gb DDR5芯片将采用美光去年推出的1β（1-beta）工艺节点生产。这是目前美光在存储芯片上最先进的半导体工艺，有可能是其最后一个没有采用极紫外（EUV）光刻技术的制造工艺，此前已经向特定的智能手机制造商和芯片组合作伙伴运送了DRAM芯片样品。
与行业内很多企业不同，美光不打算在短期内全面使用极紫外（EUV）光刻技术来生产存储芯片，而是继续使用深紫外（DUV）光刻技术，同时在1β工艺节点上使用了其第二代HKMG技术，美光称，新工艺节点的能效提高约15%，位密度提高了35%以上。
32Gb DDR5芯片首先会用于数据中心的内存模块，这是对内存容量需求最为迫切的地方。据了解，美光明年首先会提供128GB的DDR5内存模块，然后再推出192GB和256GB的产品。512GB和1TBDDR5内存模块暂时还没有安排，不过有可能提前向特定客户提供。
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