原厂积极扩张HBM内存产能,预计2024年出货量增长105%

近日,行业研究机构TrendForce发布了最新的市场调查报告,显示由于英伟达AI GPU及其他云端服务商自研芯片增加订单,存储器原厂正积极扩大TSV产线,以提高HBM内存的产能,预计2024年HBM出货量将增长105%。

据分析,2023年至2024年为AI爆发期,AI芯片集中了大量的需求,并推动了HBM内存使用量拉升。存储器原厂此刻正在面临HBM扩产的抉择,一方面需要满足客户的需求并扩大市场占有率,另一方面又但系过度扩产导致供过于求无法平衡价格。过去数年的半导体供应转变让存储器供应商明白了一点,在买方预期可能缺货的情况下,需求量隐含了超额下单的风险。

原厂积极扩张HBM内存产能,预计2024年出货量增长105%

TrendForce指出,2023年市场主流需求已经从HBM2e转向HBM3,需求比重预期分别为50%和39%。随着HBM3大规模普通,2024年将出现大幅度转向,直接超越HBM2e,比重达到60%。同时得益于HBM3更高的平均销售价格(ASP),将带动明年HBM营收显著增长。

原厂积极扩张HBM内存产能,预计2024年出货量增长105%

目前SK海力士的HBM3领先于其他供应商,主要负责向英伟达提供产品;三星着重于满足云端服务者的订单,缩小了与SK海力士之间的市场占有率差距;相比于SK海力士和三星规划扩产,美光重点放在了HBM3e的开发上,预计市场占有率会下降。TrendForce预计2023年至2024年,SK海力士和三星两者相加将占有约95%的市场份额。

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