三星展示HBM-PIM、LPDDR-PIM最新研究成果:性能可提升一倍

据媒体报道,在今年的Hot Chips 2023上,三星电子公布了HBM(高带宽存储器)-PIM(存内计算)和LPDDR(低功耗双倍速率动态随机存取存储器)-PIM的最新研究成果,三星表示,在未来,这两款存储器均为可用于人工智能行业的下一代存储器。

三星电子和AMD在此前就已经开始了有关PIM技术的合作,三星在AMD的商用GPU加速卡MI-100上配备了HBM-PIM内存,并将其应用于生成式人工智能,根据三星的研究结果显示,与现有HBM相比,配备了HBM-PIM的GPU的性能和功效提高了一倍以上。此外,为了验证MoE(混合专家系统)模型,三星使用96个配备了HBM-PIM的MI-100 GPU来构建HBM-PIM集群。在MoE模型中,与HBM相比,HBM-PIM GPU的性能提高了一倍,能效提高了三倍。

为了解决近年来人工智能行业开始出现的内存瓶颈,HBM-PIM等下一代内存技术受到了广泛的关注。HBM-PIM通过PIM技术可以在存储器本身内进行计算处理,理想情况下,PIM可以有效消除存储单元与计算单元之间的数据吞吐,从而提高了性能和能效。

除了HBM-PIM,三星电子还展示了LPDDR-PIM,它将移动DRAM与PIM相结合,可在移动设备中直接进行数据的处理和计算。由于它是针对移动设备开发的产品,因此它的带宽(102.4GB/s)也较低。但功耗却节省了72%。

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