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三星宣布，推出业界首款及最高容量的12nm级32Gb DDR5 DRAM。这是继三星今年5月开始量产12nm级16Gb DDR5 DRAM以后，扩大了其12nm级DRAM产品线，在相同封装尺寸下提供了翻倍的容量。三星称，此举巩固了其在下一代DRAM技术方面的领导地位，标志着大容量存储器的新篇章。
三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoon Hwan表示：“凭借12nm级32Gb DDR5 DRAM，我们获得了一种新的解决方案，可以实现高达1TB的DRAM模块，使我们能够满足人工智能（AI）和大数据时代对高容量DRAM日益增长的需求。我们将继续通过差异化工艺和设计技术开发DRAM解决方案，突破内存技术的界限。”
三星在12nm级别工艺技术上使用了一种新的high-κ材料，有助于提高电池电容。高电容导致数据信号出现明显的电势差，更便于准确区分。同时在降低工作电压和减少噪音方面的努力，也有助于三星提供客户需要的解决方案。
此前三星的12nm级32Gb DDR5 DRAM还需要使用TSV（Through Silicon Via）工艺，而这次12nm级32Gb DDR5 DRAM可以在不使用TSV技术的情况下生产，两者同为128GB模块下，后者的功耗降低了约10%，使其成为数据中心等注重能效的企业的最佳解决方案。
三星表示，12nm级32Gb DDR5 DRAM将会在今年年底开始量产。
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